AXD安信达测试筛选Nand Flash（闪存芯片）分析仪设备

简介
NFA100是一套功能强大且极具灵活性的Nand Flash分析系统，它最大限度地满足用户的对于Nand Flash的信息分析需求以及对这些信息的再处理需求。
1.  NFA100最大限度地提供NAND的各种原始信息。
对NAND的认知(原始信息)只能通过对NAND发送各种command,同时读取output.
NFA100除了可以发送erase, program, read, reset, getID等简单command外，
还能发送诸如set feature/get feature等command。这样，很容易实现Nand Flash的readretry（RR）等方面的测试。
NFA100还能发送用户自定义的command (1-byte command)，可支持于客户的一些特殊测试。
2. 有能力对（1）的各种原始信息进行再处理
NFA100有很强的对原始信息的再处理能力，Renice也可以开发各种算法为客户提供建议/客制。比如bad block detection和nand sorting.
3. NFA100为客户提供了一个完全开放的平台，非常方便客户自行按照自己的需求设计各种测试。
NFA100提供了两种不同级别的用户开发平台
3.1. API 
通过API,各种对NAND Flash的操作及设定,用户都可以通过调用NFA100提供的库程序在自己的软件中方便的实现自己需要的功能。
3.2.脚本（script）
NFA100提供了一套自己的编程语言，用户可以在NFA100的环境（界面）下执行自定义的script。
4. NFA100采用分布式架构，即每一个子板（SUB board）上都有NAND controller, 
因此对于部分测试功能无须占用主机资源。使其operation速度可以很快。
program的throughput的设计spec可以达到: 1GB/s
read的throughout的设计spec可以达到: 1.5GB/s
对于产品厂商而言，NFA100的强大功能可以帮助用户按照可靠性高低需求不同将Nand Flash分为不同的等级，最真实的评估Nand Flash可靠性和真实寿命。
1．对于原厂提供的Nand Flash，NFA100可以测试出真实的P/E次数，如：Nand Flash的规格书上标明的P/E cycle次数为3K，真实的情况可能会有部分芯片擦写次数大于3K，甚至是6K，筛选出寿命最佳的Nand Flash用于对产品来说更具寿命保障。
2.对于非原装的Nand Flash，NFA100可以准确的扫描出其坏块以及即处于临界状态的块；管理功能可以将这些坏块加以标识和管理，保证数据不会写入到认为不良的Block上面，从而保障产品的可靠性。
NFA100的这种功能还可以帮用户判断所采购的Nand Flash是否为原装，也可以通过NFA100判断是否为二手翻新片或者其他假冒伪劣产品。
对于研究机构、高校或公司研发人员而言，NFA100是个灵活的平台，方便进行各种debug、学术研究和技术开发。
基本特征：

1. 母版

2. 底版

3.分析软件
分析软件主要包括下面内容: (主要部分)
1.       NAND interface timing setting
2.       NAND device power voltage setting
3.       NAND device ID information and status check
4.       Bad Block scan and management
5.       Access time measurement
6.       P/E cycle dependence of access time
7.       NAND command（Erase, Program, Read）
8.       Program pattern settings(Increment, Pseudo Random, Page Stripe etc.）
9.       Dump of read data and save to file
10.   P/E Cycle(P/E cycle number, flexible settings of program patterns)
11.   Script execution(Renice Script Language; SSL)
12.   Error rate measurement(Bit ER, Page ER after ECC)
13.   ECC strength settings(code length and correctable error number)
14.   Data retention measurement(time vs bit error)
15.   Program disturb measurement(P/E cycle vs bit error)
16.   Error distribution(page/column dependence)

支持下列Nand Flash
目前测试已经支持到16nm，3D Nand等可以根据客户需求进行升级
1.       ONFI 3.2 / Toggle DDR 2.0(SLC / MLC / TLC)
2.       NAND IF : Asynchronous / Synchronous / Toggle DDR
3.       Package : TSOP 48pin, BGA 63/100/132/152pin
4.       Verified to work with latest NAND device
5.       (Toshiba 19nm, Micron/Intel 20nm, Samsung 21nm）

AXD安信达深耕经营闪存存储市场近十年，拥有优异的客制化能力、严谨的制造质量与实时的技术支持，不但是企业最佳的合作伙伴，更通过多家一级大厂认证，致力于为客户提供可靠 可信 产品与服务。